產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
高精度單晶硅壓力/差壓變送器在電路設(shè)計(jì)上采用以微處理器并輔助以數(shù)字隔離技術(shù)的模塊化設(shè)計(jì)，使儀表具有高的抗干擾性及穩(wěn)定性，同時(shí)通過(guò)內(nèi)置溫度傳感器對(duì)變送器進(jìn)行補(bǔ)償，測(cè)量精度，降低了溫度漂移，具有長(zhǎng)期穩(wěn)定性好，自診斷能力強(qiáng)等特點(diǎn)。在結(jié)構(gòu)上，用戶很方便的通過(guò)HART通訊手操器對(duì)變送器進(jìn)行標(biāo)定、設(shè)置和組態(tài)。高精度單晶硅壓力/差壓變送器
詳情介紹：
概述
高精度單晶硅壓力/差壓變送器在電路設(shè)計(jì)上采用以微處理器并輔助以數(shù)字隔離的模塊化設(shè)計(jì)，使儀表具有高的抗干擾性及穩(wěn)定性，同時(shí)通過(guò)內(nèi)置溫度傳感器對(duì)變送器進(jìn)行補(bǔ)償了測(cè)量精度，降低了溫度漂移，具有長(zhǎng)期穩(wěn)定性好，自診斷能力強(qiáng)等特點(diǎn)。在結(jié)構(gòu)上，用戶很方便的通過(guò)HART通訊手操器對(duì)變送器進(jìn)行標(biāo)定、設(shè)置和組態(tài)。
壓力/差壓變送器特點(diǎn)
1. 先進(jìn)的單晶硅壓力、差壓傳感器與封裝工藝
2. 單向過(guò)壓可達(dá)25MPa
3. 微處理器并輔助以數(shù)字隔離設(shè)計(jì)，使儀表具有高的抗干擾性及穩(wěn)定性
4. 24位ADC實(shí)現(xiàn)高精度
5. 一鍵清零功能不影響電氣防護(hù)等級(jí)
功能參數(shù)
量程限：在量程的上下限范圍內(nèi)，可以任意設(shè)置，只要標(biāo)定量程≥設(shè)置量程。建議選擇量程比盡可能低的量程，以優(yōu)化性能。
安裝位置影響：與膜片面垂直方向的安裝位置變化不會(huì)造成零漂影響，若安裝位置與膜片面大于90°的變化，會(huì)發(fā)生<0.4kPa范圍內(nèi)的零位影響，可以通過(guò)調(diào)零校正，無(wú)量程影響。
輸出：兩線制4-20mA，符合NAMIR
NE43規(guī)范，疊加數(shù)字信號(hào)（Hart協(xié)議）可選擇線性或平方根輸出。
輸出信號(hào)極限：： 低報(bào)模式Imin：3.9 mA
高報(bào)模式Imax：21 mA
故障警告：如果傳感器或電路出現(xiàn)故障，自動(dòng)診斷功能自動(dòng)輸出22.0mA
響應(yīng)時(shí)間：放大器部件阻尼常數(shù)為0.1s；傳感器時(shí)間常數(shù)為0.1～1.6s，取決于量程及量程比。附加的可調(diào)時(shí)間常數(shù)為：0～100s。
預(yù)熱時(shí)間：< 15s
性能參數(shù)
測(cè)量介質(zhì)：氣體、蒸汽、液體
精度：±0.05%、±0.075%、±0.1%（包括從零點(diǎn)開始的線性、回差和重復(fù)性）
穩(wěn)定性：±0.1%/3年
環(huán)境溫度影響：≤±0.04%URL/10℃
靜壓影響：±0.05%/10MPa
電源：10.5～36V DC（本安防爆10～26V DC）
電源影響: ±0.001% /10V，可忽略不計(jì)
環(huán)境溫度：-40℃~85℃
測(cè)量介質(zhì)溫度：-40℃~120℃
貯藏溫度：-40℃~85℃
顯示： LCD
顯示器顯示模塊溫度： -20℃~70℃